Toggle navigation
首页
产品展示
解决方案
关于我们
新闻资讯
联系我们
首页
产品展示
芯片产品
DC-DC
LDO
充电管理IC
快充协议芯片
基准电源
MOSFET
Low Voltage MOSFET(0-30V)
Medium Voltage MOSFET(30-100V)
High voltage MOSFET(100-800V)
三级管
达林顿
功率开关三极管
晶体管
双晶体管
双数字晶体管
二极管
稳压二极管
肖特基二极管
快恢复二极管
保护器件
ESD 管
TVS
可控硅
单向可控硅
四象限三端双向可控硅
解决方案
系统方案
应用方案
物联网
关于我们
公司简介
荣誉资质
未来规划
工艺流程
新闻资讯
公司新闻
行业新闻
联系我们
中文
English
中文
繁体
公司简介
荣誉资质
未来规划
工艺流程
新闻资讯
首页
>>
新闻资讯
2027
向行业上游细分市场迈进,更深一层楼
2024/05/04
2025
具备新型封装研发能力,形成行业领先地位
2024/05/04
2023
扩展封装种类DFN、SOP、SOT、TO、SOD,形成MOS和LDO产品全系列覆盖
2024/05/04
2022
重点产品:中小功率场效应管(MOS)、低压差线性稳压器(LDO)封装类型:SOT23、SOT89
2024/05/04
1
Copyright © 2012-2024 深圳市煜拓技术有限公司 版权所有